Módulos de Memoria de 32 GB Samsung

El mayor fabricante mundial de memorias DRAM anunció el comienzo de la distribución de los módulos de memoria de mayor densidad de la industria hasta el momento. Los nuevos módulos DDR3 de 32 GB están diseñados para usarse en servidores avanzados que requieren alta densidad y performance, con un bajo consumo energético. Los chips de memoria incluidos en dichos módulos están fabricados bajo un proceso de 40nm.

Un año después de que anunciara sus módulos RDIMM de 16 GB, basados en chips de memoria de 50nm y 2 Gb, Samsung anunció nuevos RDIMM de 32 GB, basados en chips DDR3 de 40nm y 4 Gb. Los nuevos módulos constan de 36 chips capaces de funcionar con el mismo consumo energético que los RDIMM de 16 GB.

Equipando un servidor de dos vías con módulos de 32 GB, un sistema puede contener hasta 384 GB de memoria. Esto permite duplicar el récord anterior de densidad de 192 GB por servidor, con un incremento en el consumo energético de menos del cinco por ciento, en comparación con un sistema basado en módulos de 16 GB.

Adicionalmente, el reemplazo de doce módulos DRAM de 16 GB con sólo permite configurar una densidad total de seis de 32 GB192 GB, permitiendo elevar la velocidad operativa de la DRAM en un servidor de dos vías un 33 por ciento, desde 800 MHz hasta 1066 MHz, a la vez que el consumo energético se reduce un 40 por ciento.

El liderazgo tecnológico es un factor clave en la competitividad agresiva de Samsung dentro de la industria de la memoria, dijo Soo-In Cho, presidente y gerente general de la división de memoria de Samsung Electronics. Nuestra exitosa implementación de la tecnología de 40nm es una muestra de nuestra determinación para alcanzar el nodo de procesamiento de 30nm en la segunda mitad de este año. Nuestra tecnología de 30nm proveerá soluciones de memoria aún más avanzadas para aplicaciones de servidores de alto rango y PCs

Fuente: Universia Tech Center Argentina